四探針電阻率測(cè)定儀  型號(hào)： RTS-8 
  是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的，于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻（薄層電阻）的儀器。
儀器由主機(jī)、測(cè)試臺(tái)、四探針探頭、計(jì)算機(jī)等部分組成，測(cè)量數(shù)據(jù)既可由主機(jī)直接顯示，亦可由計(jì)算機(jī)控制測(cè)試采集測(cè)試數(shù)據(jù)到計(jì)算機(jī)中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計(jì)分析顯示測(cè)試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。
本儀器于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

技　術(shù)　指　標(biāo) ： 

電阻率：10^-5～10⁵ Ω.cm(可擴(kuò)展)；  
 方塊電阻：10^-4～10⁶ Ω/□(可擴(kuò)展)；
 電導(dǎo)率：10^-5～10⁵ s/cm；
 電阻：10^-5～10⁵ Ω；  

可測(cè)晶片直徑 140mmX150mm（配S-2A型測(cè)試臺(tái)）；
200mmX200mm（配S-2B型測(cè)試臺(tái)）；
400mmX500mm（配S-2C型測(cè)試臺(tái)）； 
恒流源 電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào) 
數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV；　　　　
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；性、量程自動(dòng)顯示； 
四探針探頭基本指標(biāo) 間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 
機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓（總力）； 
四探針探頭應(yīng)用參數(shù) （見(jiàn)探頭附帶的合格證） 
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
（ 按JJG508-87進(jìn)行） 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 
整機(jī)測(cè)量相對(duì)誤差 （用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測(cè)試）≤±5% 
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度 ≤5% 
計(jì)算機(jī)通訊接口 并口 
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境 溫度：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65%；
無(wú)高頻干擾；
無(wú)強(qiáng)光直射； 


配置 四探針測(cè)試儀主機(jī)、探針臺(tái)、四探針探頭、

      四探針測(cè)試儀主機(jī)、 探針臺(tái)、 四探針探頭、測(cè)試軟件(含測(cè)控模塊)