晶閘管關(guān)斷時(shí)間、電壓上升率、電流上升率綜合測(cè)試臺(tái)型號(hào):DBC-091/051/081
DBC-091/051/081晶閘管關(guān)斷時(shí)間、電壓上升率、電流上升率綜合測(cè)試臺(tái)簡(jiǎn)介
一、概述:
晶閘管的關(guān)斷時(shí)間 t q ,電壓上升率dv/dt ,電流上升率di/dt是晶閘管元件的三個(gè)重要?jiǎng)討B(tài)參數(shù),國(guó)標(biāo)規(guī)定這三個(gè)動(dòng)態(tài)參數(shù)是快速晶閘管和高頻晶閘管元件出廠前的必測(cè)項(xiàng)目。我們研制的三參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái),是以國(guó)標(biāo)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)為依據(jù),以滿(mǎn)足大批量生產(chǎn)為前提而設(shè)計(jì)的,具有操作簡(jiǎn)單、讀數(shù)直觀、測(cè)試效率高等特點(diǎn),特別是各參數(shù)自動(dòng)測(cè)試、數(shù)字顯示,不用看示波器,不用手動(dòng)調(diào)節(jié),減少了人為誤差,提高了測(cè)試效率。元件上夾具后三個(gè)參數(shù)一次測(cè)完,減少了管芯表面損傷,并提高了測(cè)試效率。
二、整機(jī)技術(shù)指標(biāo):
1.關(guān)斷時(shí)間t q 測(cè)試范圍:5—200μS
主要測(cè)試條件:
①通態(tài)峰值電流:50A—1000A可調(diào)
②通態(tài)峰值電流底寬:約400μS
③通態(tài)峰值電流下降率:-di/dt=10—20A/μS
④關(guān)斷期間施加反壓幅值:20—100V
⑤重加電壓幅值:100—1000V可調(diào)
⑥重加電壓dv/dt:30V/μS
⑦測(cè)試重復(fù)頻率:12.5Hz或6.25Hz
⑧結(jié)溫:按規(guī)定
2.dv/dt測(cè)試范圍:200、300、500、800、1000V/μS自動(dòng)轉(zhuǎn)換
主要測(cè)試條件:
①dv/dt電壓幅值:0—1000V可調(diào)
②測(cè)試重復(fù)頻率:50HZ
③指數(shù)法測(cè)試
④結(jié)溫:按規(guī)定
3.di/dt測(cè)試范圍:100—200A/μS 可調(diào)
主要測(cè)試條件:
①通態(tài)峰值電流幅值:1000—2000A可調(diào)
②通態(tài)峰值電流底寬:約20μS
③開(kāi)通前斷態(tài)電壓:500—1000V可調(diào)
④觸發(fā)脈沖前沿≤0.5μS,底寬=30μS
⑤測(cè)試重復(fù)頻率:50HZ
⑥結(jié)溫:按規(guī)定
4、配簡(jiǎn)易測(cè)試恒溫夾具:
①恒溫范圍:室溫—150℃可調(diào)
②夾具壓力:人力控制。
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